TYPE-C電(diàn)源适配器的失效分(fēn)析方法五
红外显微镜分(fēn)析技术
红外显微镜的结构与金相显微镜相似，但红外显微镜采用(yòng)接近红外腐蚀源作為(wèi)光源，并用(yòng)红外成像进行观察的分(fēn)析技术。由于TYPE-C電(diàn)源适配器所使用(yòng)的半导體(tǐ)材料主要由锗和硅等组成，锗和硅等材料及薄金属层对红外光是透明的，所以红外显微镜具有(yǒu)金相显微镜所无法比拟的优点。利用(yòng)红外显微镜，不用(yòng)剖开器件内部就能(néng)观察到芯片内部的缺陷和芯片焊接情况。红外显微镜特别适合塑胶封装半导體(tǐ)器件的失效分(fēn)析。
红外显微镜分(fēn)析法是利用(yòng)红外显微技术对微電(diàn)子器件的微小(xiǎo)面积进行高精度非接触测温的方法。器件的工作情况及失效会通过热效应反映出来，例如，器件设计不恰当、材料缺陷及工艺差错等都会造成器件内部温度不均匀，局部小(xiǎo)區(qū)域温度比平均温度高得多(duō)，这种集中热点直接影响器件的安全使用(yòng)和寿命。找出这些热点，并用(yòng)非接触式方法高精度地测出温度，对于TYPE-C電(diàn)源适配器产品的合理(lǐ)设计、制造工艺流程控制及失效分(fēn)析和可(kě)靠性检验等，都具有(yǒu)十分(fēn)重要的意义。
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