开关電(diàn)源适配器電(diàn)磁兼容性涉及的内容
对于开关電(diàn)源适配器的设计者来说，要进行電(diàn)磁兼容性的设计，首先要了解電(diàn)磁兼容性所涉及的主要内容，根据实际情况可(kě)以归纳為(wèi)四个方面的内容。
1. 電(diàn)磁干扰产生的形式
衡量开关電(diàn)源适配器的抗電(diàn)磁干扰的性能(néng)，主要是检测开关電(diàn)源适配器在运行时产生的EMI信号電(diàn)平，这种EMI信号又(yòu)称為(wèi)噪声。开关電(diàn)源适配器在日常工作时可(kě)能(néng)向外发射電(diàn)磁干扰，干扰通过空间传播的称為(wèi)辐射噪声；当干扰通过设备各种连接線(xiàn)（電(diàn)源線(xiàn)、信号線(xiàn)、控制線(xiàn)等）传播的称為(wèi)传导噪声。
在電(diàn)磁干扰源周围空间存在着電(diàn)场和磁场，会对附近的敏感设备产生干扰，这种干扰方式称為(wèi)近场耦合噪声。在電(diàn)磁兼容性设计时应予重点考虑。
2. 電(diàn)磁敏感度（EMS）的测量
電(diàn)磁敏感度是衡量开关電(diàn)源适配器抗干扰性能(néng)的。電(diàn)磁骚扰可(kě)以通过传导、辐射、近场耦合等各种途径传送到電(diàn)子、電(diàn)器设备，但能(néng)否对设备产生干扰，影响设备的正常工作，则取决于骚扰强度和设备的抗干扰能(néng)力，即设备的電(diàn)磁敏感度EMS。只有(yǒu)当骚扰强度足够大，以致超过设备的敏感度门限时才能(néng)构成对设备的干扰。设备的敏感度门限是指使设备产生不希望的响应或造成其性能(néng)降级时的骚扰電(diàn)平，電(diàn)磁敏感度门限越低说明设备的抗干扰能(néng)力越差。
3. 雷電(diàn)产生的電(diàn)磁脉冲(EMP)
雷電(diàn)对开关電(diàn)源适配器的危害有(yǒu)两种。一种是直接雷击危害，这种很(hěn)少发生。另一种是感应雷危害，由于雷電(diàn)放電(diàn)電(diàn)流是强烈的噪声源，在雷電(diàn)放電(diàn)时周围空间辐射出强電(diàn)磁场，从而使地面上的金属导體(tǐ)感应出很(hěn)高的電(diàn)压。系统中的信号線(xiàn)、電(diàn)源線(xiàn)、控制線(xiàn)上都可(kě)能(néng)由于感应雷的作用(yòng)而产生浪涌高压脉冲，所以要求模拟雷击和发生核爆炸时在電(diàn)网上生成的尖峰信号并施加在开关電(diàn)源设备上，而不导致设备的性能(néng)降低或故障，因此，必须采取适当的浪涌保护器件。目前常用(yòng)的浪涌抑制器件有(yǒu)气體(tǐ)放電(diàn)管、硅雪(xuě)崩二极管、金属氧化物(wù)压敏電(diàn)阻以及新(xīn)型的固态瞬时電(diàn)压抑制器等。
4. 静電(diàn)放電(diàn)（ESD）的性能(néng)指标
衡量开关電(diàn)源适配器的電(diàn)磁兼容性的静電(diàn)放電(diàn)性能(néng)指标，是指将模拟静電(diàn)放電(diàn)特性電(diàn)压施加到被测设备上，而不导致其性能(néng)下降或发生故障。為(wèi)了保证开关電(diàn)源适配器具有(yǒu)良好的性能(néng)指标，主要从设备的使用(yòng)环境、元器件选择、结构的设计和電(diàn)路设计来考虑。由于静電(diàn)放電(diàn)可(kě)能(néng)对半导體(tǐ)器件及数字電(diàn)路造成的危害有(yǒu)以下多(duō)方面：
a. 当在MOS器件上加过高的静電(diàn)放電(diàn)電(diàn)压时，会使MOS器件出现静電(diàn)击穿，导致MOS器件失效。一般厚度為(wèi)100~200nm的氧化层击穿電(diàn)压约為(wèi)100V左右。
b. 当静電(diàn)放電(diàn)时，所产生的静電(diàn)感应電(diàn)压能(néng)使双极型晶體(tǐ)管等发生局部温升，使其中一种材料达到熔点而损坏器件。
c. 当带有(yǒu)静電(diàn)的物(wù)體(tǐ)对数字電(diàn)路放電(diàn)时，可(kě)能(néng)产生非常大的脉冲電(diàn)流，瞬时感应電(diàn)压也非常大，使地線(xiàn)上電(diàn)位波动，容易造成数字電(diàn)路误动作，甚至损坏。对于开关電(diàn)源适配器的设计者，在实际设计中，要认识到静電(diàn)放電(diàn)的复杂性以及产生根源，然后采取有(yǒu)效的措施设计、选择抑制器件。
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